這是一個15分鐘延遲報價,不會保證其絕對準確和可靠,且亦不會承擔因任何不准確或遺漏而引起的任何損失或損害的責任(不管是否侵權法下的責任或合約責任又或其他責任)
以多晶鑄錠技術為基礎,通過設備工藝改造,以定向凝固的方式生長出單晶
獨創的籽晶回收技術,及多種大尺寸籽晶加工優勢
全新熱場設計及籽晶拼接技術,對流充分排雜好,有效控制結構缺陷及位錯產生
平均轉化效率和直拉單晶僅相差在在0.3%-0.5%以內
產品 | 規格 | 線痕 | 硅片厚度差 | 翹曲度 | 單晶面積 | 垂直度 |
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鑄造單晶系列 | 158.75±0.25mm | ≤15um | ≤27um | ≤50um | ≥99% | 90°±0.25° |
166±0.25mm | ||||||
182±0.25mm | ||||||
210±0.25mm |